×

Na stronie http://www.imz.pl stosujemy pliki cookies (ciasteczka) w celu gromadzenia danych statystycznych oraz prawidłowego funkcjonowania niektórych elementów serwisu. Pliki te mogą być umieszczane na Państwa urządzeniach służących do odczytu stron. Dalsze korzystanie z naszej strony oznacza, że wyrażają Państwo zgodę na używanie cookies, zgodnie z aktualnymi ustawieniami przeglądarki.

Instalacja ATON MOS do neutralizacji gazów odlotowych z linii spiekania
DSC_5538.jpg

Urządzenie ATON MOS 20/9/3 skutecznie oczyszcza gazy poprocesowe z zanieczyszczeń organicznych (LZO – lotne związki organiczne, CO, NOx), przez neutralizację szkodliwych substancji i dopalanie węglowodorów w wysokich temperaturach. Technologia bazuje na chronionej zgłoszeniem patentowym metodzie MOS (Microwave Oxidation System), dzięki czemu sama nie jest źródłem emisji gazów cieplarnianych.

Instalacja jest elementem układu odciągu i oczyszczania gazów poreakcyjnych stanowiska spiekania. Składa się z:

   1. trzech trójsegmentowych reaktorów:

  • wypełnionych złożem ceramicznym o właściwościach katalitycznych i o dużej zdolności pochłaniania mikrofal, ogrzewania się i transmitowania energii w formie ciepła do oczyszczania gazów odlotowych
  • uzbrojonych w generatory mikrofalowe  oraz palniki gazowe (po jednym dla każdego reaktora) do wstępnego podgrzania złoża ceramicznego

    2. dwóch kolektorów: doprowadzającego i odprowadzającego gazy poddawane neutralizacji

    3. wymiennik ciepła typu spaliny- spaliny, typu płaszczowo- rurowego

    4. szafy zasilająco- sterowniczej


Powrótwersja do druku